一种具有凹坑图案的用于二次电池的电极及其制备方法和用途
专利名称:
一种具有凹坑图案的用于二次电池的电极及其制备方法和用途
专利类别:
发明
申请号:
2016111155344
第一发明人:
李叶晶
其它发明人:
王兆翔;陈立泉
专利授权日期:
2019-10-22